창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB100N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(D,F,P)100N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4369pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-14527-2 STB100N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB100N10F7 | |
관련 링크 | STB100, STB100N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
VS-8ETH06STRLPBF | DIODE HYPERFAST 8A 600V D2PAK | VS-8ETH06STRLPBF.pdf | ||
SP8J1TB | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC | SP8J1TB.pdf | ||
ERJ-1GEF1820C | RES SMD 182 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF1820C.pdf | ||
Y2014120R000F9R | RES SMD 120 OHM 1% 1/4W J LEAD | Y2014120R000F9R.pdf | ||
333-2SUBC-C470-S400-A4 | 333-2SUBC-C470-S400-A4 EVERLIGHT ROHS | 333-2SUBC-C470-S400-A4.pdf | ||
R5534V-E2-FB | R5534V-E2-FB RICOH TSOP | R5534V-E2-FB.pdf | ||
XC2S100E-7TQ144C | XC2S100E-7TQ144C XILINX SMD or Through Hole | XC2S100E-7TQ144C.pdf | ||
KA3027D2TE | KA3027D2TE MITEL 28PIN-SOP | KA3027D2TE.pdf | ||
168E | 168E ORIGINAL SMD or Through Hole | 168E.pdf | ||
UMZ7 / Z7 | UMZ7 / Z7 ROHM SOT-363 | UMZ7 / Z7.pdf | ||
MAX355CWG | MAX355CWG MAX CDIP | MAX355CWG.pdf | ||
MP841 | MP841 MP CAN6 | MP841.pdf |