창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6P41FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6P41FE Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
카탈로그 페이지 | 1650 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 720mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 400mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.76nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SSM6P41FE (TE85L,F) SSM6P41FE(TE85LF)TR SSM6P41FETE85LF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6P41FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | SSM6P41FE(, SSM6P41FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
HM78-20470LFTR | 47µH Shielded Inductor 750mA 221 mOhm Max Nonstandard | HM78-20470LFTR.pdf | ||
SM6227FT22R6 | RES SMD 22.6 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT22R6.pdf | ||
MNR14E0ABJ473 | RES ARRAY 4 RES 47K OHM 1206 | MNR14E0ABJ473.pdf | ||
C807V-2A69 | C807V-2A69 SCEI QFP | C807V-2A69.pdf | ||
IDT71256-L25DB | IDT71256-L25DB IDT CDIP | IDT71256-L25DB.pdf | ||
BLM11B050SAPM00-954 | BLM11B050SAPM00-954 muRata SMD0603 | BLM11B050SAPM00-954.pdf | ||
LT2804 | LT2804 LINEAR SMD or Through Hole | LT2804.pdf | ||
S3901M | S3901M ST TO-220 | S3901M.pdf | ||
SP-T3A 32.768kHz 12.5pF | SP-T3A 32.768kHz 12.5pF SII SMD or Through Hole | SP-T3A 32.768kHz 12.5pF.pdf | ||
ICE3BR4765JG. | ICE3BR4765JG. INFINEON SMD or Through Hole | ICE3BR4765JG..pdf |