창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6P41FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6P41FE Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
카탈로그 페이지 | 1650 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 720mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 400mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.76nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SSM6P41FE (TE85L,F) SSM6P41FE(TE85LF)TR SSM6P41FETE85LF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6P41FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | SSM6P41FE(, SSM6P41FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
VJ0805D910FXCAJ | 91pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910FXCAJ.pdf | ||
GRM1556R1H3R5CZ01D | 3.5pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H3R5CZ01D.pdf | ||
4554-471J | 470µH Unshielded Inductor 460mA 1.1 Ohm Max Radial | 4554-471J.pdf | ||
1210 180K J | 1210 180K J TASUND SMD or Through Hole | 1210 180K J.pdf | ||
TLJS686M004K1500 | TLJS686M004K1500 AVX SMD | TLJS686M004K1500.pdf | ||
C4FX00921(MB606924) | C4FX00921(MB606924) N/A SMD or Through Hole | C4FX00921(MB606924).pdf | ||
STU60D2 | STU60D2 EIC SMBDO-214AA | STU60D2.pdf | ||
LA3860 | LA3860 SANYO DIP30 | LA3860.pdf | ||
MTC110-6 | MTC110-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTC110-6.pdf | ||
923G93955 | 923G93955 ORIGINAL DIP16 | 923G93955.pdf | ||
LCN1008T-1R2J-S | LCN1008T-1R2J-S ORIGINAL SMD | LCN1008T-1R2J-S.pdf | ||
S8270AFE | S8270AFE MIT SOP8 | S8270AFE.pdf |