창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM6N55NU,LF(T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM6N55NU | |
| 주요제품 | SSM6N55NU/SSM6N57NU MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-µDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM6N55NU,LF SSM6N55NULF SSM6N55NULF(TTR SSM6N55NULFTR SSM6N55NULFTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM6N55NU,LF(T | |
| 관련 링크 | SSM6N55N, SSM6N55NU,LF(T 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | RPC0805JT1R10 | RES SMD 1.1 OHM 5% 1/4W 0805 | RPC0805JT1R10.pdf | |
![]() | PHP00805H1242BBT1 | RES SMD 12.4K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1242BBT1.pdf | |
![]() | PA46-6-300-Q2-NC1-PN | SYSTEM | PA46-6-300-Q2-NC1-PN.pdf | |
![]() | TC7W00F-TE12 | TC7W00F-TE12 TOSHIBA FM8 | TC7W00F-TE12.pdf | |
![]() | A358S14TDC | A358S14TDC EUPEC SMD or Through Hole | A358S14TDC.pdf | |
![]() | CBM-1215DF | CBM-1215DF TDK N A | CBM-1215DF.pdf | |
![]() | ECES1JV822UM | ECES1JV822UM VUF SMD or Through Hole | ECES1JV822UM.pdf | |
![]() | AT4407GM | AT4407GM AT T0-252 | AT4407GM.pdf | |
![]() | X84161S8I-1.8 | X84161S8I-1.8 intersil SOP8 | X84161S8I-1.8.pdf | |
![]() | 2N2659 | 2N2659 MOT CAN | 2N2659.pdf | |
![]() | L151MBC-TR | L151MBC-TR AOPLED ROHS | L151MBC-TR.pdf | |
![]() | DLW5BTN101SQ2k | DLW5BTN101SQ2k MURATAhttp//searchmurata co jp Ceramy PnsearchViewAction do | DLW5BTN101SQ2k.pdf |