창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6N15FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6N15FE Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 10mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7.8pF @ 3V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM6N15FE(TE85LF)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6N15FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | SSM6N15FE(, SSM6N15FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | GRM2195C1H123FA01D | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C1H123FA01D.pdf | |
![]() | BFC238042393 | 0.039µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238042393.pdf | |
![]() | Y008915K0000TM0L | RES 15K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y008915K0000TM0L.pdf | |
![]() | DP09SHN15B25K | DP09S HOR 15P NDET 25K M7*7MM | DP09SHN15B25K.pdf | |
![]() | MC14410BCP | MC14410BCP MOT DIP | MC14410BCP.pdf | |
![]() | K6R1016CIC | K6R1016CIC SAMSOMG SMD or Through Hole | K6R1016CIC.pdf | |
![]() | 16V8AS-25 | 16V8AS-25 ST DIP | 16V8AS-25.pdf | |
![]() | ICS1562M-001 | ICS1562M-001 ICS SOP16 | ICS1562M-001.pdf | |
![]() | GUVC-T11GS4-3LW10 | GUVC-T11GS4-3LW10 Genicom SMD or Through Hole | GUVC-T11GS4-3LW10.pdf | |
![]() | SN74CBT16209ADGVR | SN74CBT16209ADGVR TI TSSOP48 | SN74CBT16209ADGVR.pdf | |
![]() | D23C128040L | D23C128040L ORIGINAL SMD or Through Hole | D23C128040L.pdf | |
![]() | SC1165CS | SC1165CS SEMTECH SOP24 | SC1165CS.pdf |