창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6L16FETE85LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6L16FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 10mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 0.1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9.3pF @ 3V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SSM6L16FE(TE85L,F) SSM6L16FE(TE85LF)TR SSM6L16FE(TE85LF)TR-ND SSM6L16FETE85LFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6L16FETE85LF | |
관련 링크 | SSM6L16FE, SSM6L16FETE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | SIT8009BI-32-XXE-125.000000T | OSC XO 125MHZ OE | SIT8009BI-32-XXE-125.000000T.pdf | |
![]() | B82496C3181G | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 6 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | B82496C3181G.pdf | |
![]() | CF14JB3M60 | CARBON FILM 0.25W 5% 3.6M OHM | CF14JB3M60.pdf | |
![]() | 62A | 62A ORIGINAL SMB2 | 62A.pdf | |
![]() | SHC804SM | SHC804SM BB DIP | SHC804SM.pdf | |
![]() | HA72510883 | HA72510883 MAXIM QFN | HA72510883.pdf | |
![]() | FFAF05U120 | FFAF05U120 FAIRCHILD TO-3PF | FFAF05U120.pdf | |
![]() | AP3500TT | AP3500TT PHI TSOP32 | AP3500TT.pdf | |
![]() | PC74HCT4016P | PC74HCT4016P TEXAS DIP-14L | PC74HCT4016P.pdf | |
![]() | HDL4K49DNF102-00 | HDL4K49DNF102-00 HIT BGA | HDL4K49DNF102-00.pdf | |
![]() | SI4856DYE3 | SI4856DYE3 sil SMD or Through Hole | SI4856DYE3.pdf |