창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM6L09FUTE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM6L09FU | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA, 200mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 200MA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | US6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM6L09FU (TE85L,F) SSM6L09FU(TE85L,F) SSM6L09FUTE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM6L09FUTE85LF | |
| 관련 링크 | SSM6L09FU, SSM6L09FUTE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | ABM12-40.000MHZ-B2X-T3 | 40MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM12-40.000MHZ-B2X-T3.pdf | |
![]() | PS2802-1-A | Optoisolator Darlington Output 2500Vrms 1 Channel 4-SSOP | PS2802-1-A.pdf | |
![]() | CW00510R00JE73HS | RES 10 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW00510R00JE73HS.pdf | |
![]() | XC145512P | XC145512P MOT DIP | XC145512P.pdf | |
![]() | SCL-3B | SCL-3B SYNERGY SMD or Through Hole | SCL-3B.pdf | |
![]() | SV09AC474KAA | SV09AC474KAA AVX DIP | SV09AC474KAA.pdf | |
![]() | 32H101 | 32H101 SSI DIP8 | 32H101.pdf | |
![]() | 43-441-460 | 43-441-460 FIVETECHTECHNOLOGYINC SMD or Through Hole | 43-441-460.pdf | |
![]() | D1170S20 | D1170S20 EUPEC Module | D1170S20.pdf | |
![]() | SA33C 3A | SA33C 3A ORIGINAL SMD or Through Hole | SA33C 3A.pdf | |
![]() | 5962-8963301XC | 5962-8963301XC ORIGINAL CAN | 5962-8963301XC.pdf | |
![]() | 1583H8E1BK | 1583H8E1BK ORIGINAL NEW | 1583H8E1BK.pdf |