홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » SSM6K217FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF

SSM6K217FE,LF
제조업체 부품 번호
SSM6K217FE,LF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
데이터 시트 다운로드
다운로드
SSM6K217FE,LF 가격 및 조달

가능 수량

16550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 91.18138
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SSM6K217FE,LF 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. SSM6K217FE,LF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SSM6K217FE,LF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SSM6K217FE,LF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SSM6K217FE,LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM6K217FE,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SSM6K217FE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.8V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs195m옴 @ 1A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.1nC(4.2V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds130pF @ 10V
전력 - 최대500mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지ES6
표준 포장 4,000
다른 이름SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SSM6K217FE,LF
관련 링크SSM6K21, SSM6K217FE,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
SSM6K217FE,LF 의 관련 제품
10µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CL21A106KOFNNNG.pdf
VARISTOR 620V 400A DISC 5MM V620ZU05P.pdf
RES SMD 18 OHM 1% 1W 2512 ERJ-1TNF18R0U.pdf
RES MO 1/2W 100 OHM 2% AXIAL RSF12GB100R.pdf
PR1501G-PR1505G DIODES DO-15 PR1501G-PR1505G.pdf
SPC065031R2 ORIGINAL 5D28 SPC065031R2.pdf
MSP430F25IPMR TI MSP430F25IPMR MSP430F25IPMR.pdf
HLZA(Value) VISHAY SMD or Through Hole HLZA(Value).pdf
23F-10 YDS SMD or Through Hole 23F-10.pdf
PIC30F6013-I/PT ORIGINAL SMD or Through Hole PIC30F6013-I/PT.pdf
NTD24N06G ONS DPAK(TO-252) NTD24N06G .pdf