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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF

SSM6K217FE,LF
제조업체 부품 번호
SSM6K217FE,LF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
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내부 부품 번호EIS-SSM6K217FE,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SSM6K217FE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.8V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs195m옴 @ 1A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.1nC(4.2V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds130pF @ 10V
전력 - 최대500mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지ES6
표준 포장 4,000
다른 이름SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM6K217FE,LF
관련 링크SSM6K21, SSM6K217FE,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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