창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6J512NU,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6J512NU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.2m옴 @ 4A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-UDFNB(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SSM6J512NU,LF(B SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NULFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6J512NU,LF | |
관련 링크 | SSM6J51, SSM6J512NU,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | ECW-H10162JVB | 1600pF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.276" W (18.00mm x 7.00mm) | ECW-H10162JVB.pdf | |
![]() | PPTR1000GP5VB | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Vented Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0 V ~ 5 V Cylinder | PPTR1000GP5VB.pdf | |
![]() | UMZ1NTRM | UMZ1NTRM ROHM SMD or Through Hole | UMZ1NTRM.pdf | |
![]() | JZ9261L36E | JZ9261L36E SE SOT-89 | JZ9261L36E.pdf | |
![]() | OZ711MSIBN | OZ711MSIBN ORIGINAL BGA | OZ711MSIBN.pdf | |
![]() | 2.40GHZ/128/400 | 2.40GHZ/128/400 INTER BGA | 2.40GHZ/128/400.pdf | |
![]() | GDZ18A | GDZ18A PANJIT SOD-323 | GDZ18A.pdf | |
![]() | LC877B48A | LC877B48A SANYO QFP | LC877B48A.pdf | |
![]() | M50453 | M50453 ORIGINAL DIP | M50453.pdf | |
![]() | MPN3700G | MPN3700G ON SMD or Through Hole | MPN3700G.pdf | |
![]() | KSP2222A/KSP2907A | KSP2222A/KSP2907A FSC TO-92 | KSP2222A/KSP2907A.pdf |