창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3K7002BS,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Mosfets Prod Guide SSM3K7002BS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | S-Mini | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SSM3K7002BSLF SSM3K7002BSLFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3K7002BS,LF | |
관련 링크 | SSM3K700, SSM3K7002BS,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
PEF220WM30238BJ1 | 3000pF 17000V(17kV) 세라믹 커패시터 R85 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 8.858" Dia(225.00mm) | PEF220WM30238BJ1.pdf | ||
08051J2R4BBTTR | 2.4pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051J2R4BBTTR.pdf | ||
0312005.VXP | FUSE GLASS 5A 250VAC 3AB 3AG | 0312005.VXP.pdf | ||
MBA02040C2322FC100 | RES 23.2K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2322FC100.pdf | ||
0805CS-111XGLC | 0805CS-111XGLC Coilcraft SMD | 0805CS-111XGLC.pdf | ||
HN27C256AG12 | HN27C256AG12 HITACHI DIP-28 | HN27C256AG12.pdf | ||
ICL7660AIBAZ-T | ICL7660AIBAZ-T INT SOP8 | ICL7660AIBAZ-T.pdf | ||
NCP301LSN28T1G | NCP301LSN28T1G ON SOT-23-5 | NCP301LSN28T1G.pdf | ||
HDSPF201DE000CATE | HDSPF201DE000CATE AVAGO SMD or Through Hole | HDSPF201DE000CATE.pdf | ||
P6SMB9.0A | P6SMB9.0A VISHAY DO-214AA | P6SMB9.0A.pdf | ||
V62/07605-01XE | V62/07605-01XE TI SOP8 | V62/07605-01XE.pdf | ||
BD3571HFP-TR | BD3571HFP-TR ROHM SMD or Through Hole | BD3571HFP-TR.pdf |