Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT,L3F
- 제조업체 부품 번호
- SSM3K56ACT,L3F
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SSM3K56ACT,L3F 가격 및 조달
가능 수량
18550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 61.67716
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SSM3K56ACT,L3F 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. SSM3K56ACT,L3F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SSM3K56ACT,L3F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SSM3K56ACT,L3F 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3K56ACT,L3F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K56ACT,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K56ACT | |
| 주요제품 | Low Power Discrete Semiconductors for the Internet of Things (IoT) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 800mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 55pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K56ACT,L3F(B SSM3K56ACT,L3F(T SSM3K56ACTL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K56ACT,L3F | |
| 관련 링크 | SSM3K56A, SSM3K56ACT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
SSM3K56ACT,L3F 의 관련 제품
 | D102K20Y5PF63L2R | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D102K20Y5PF63L2R.pdf | |
 | C901U120JZSDCAWL20 | 12pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U120JZSDCAWL20.pdf | |
 | 402F26022ILR | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26022ILR.pdf | |
 | ASFLMB-30.000MHZ-LC-T | 30MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASFLMB-30.000MHZ-LC-T.pdf | |
.jpg) | RT0805BRD07825RL | RES SMD 825 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07825RL.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW060314K3BETA | RES SMD 14.3KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060314K3BETA.pdf | |
.jpg) | RCS080544R2FKEA | RES SMD 44.2 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS080544R2FKEA.pdf | |
 | 7N10L | 7N10L Intersil TO-251 | 7N10L.pdf | |
| A6285KIT | A6285KIT ALG SMD or Through Hole | A6285KIT.pdf | |
| M5M51008AP-10/12/70L | M5M51008AP-10/12/70L ORIGINAL DIP | M5M51008AP-10/12/70L.pdf | |
| AM25LS2519FMB | AM25LS2519FMB AMD SMD or Through Hole | AM25LS2519FMB.pdf | |
| TNR20V820K | TNR20V820K NIPPON DIP-2 | TNR20V820K.pdf |