창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K36FS,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Mosfets Prod Guide SSM3K36FS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 630m옴 @ 200mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.23nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 46pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K36FS (T5L,F,T) SSM3K36FS(T5L,F,D) SSM3K36FS(T5L,F,T) SSM3K36FS(T5L,F,T)-ND SSM3K36FS(T5LFD)TR SSM3K36FS(T5LFD)TR-ND SSM3K36FS(T5LFT)TR SSM3K36FS(T5LFT)TR-ND SSM3K36FS,LF(B SSM3K36FS,LF(T SSM3K36FSLF SSM3K36FSLF-ND SSM3K36FSLFTR SSM3K36FST5LFD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K36FS,LF | |
| 관련 링크 | SSM3K36, SSM3K36FS,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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![]() | RBV2506 | RBV2506 SANKEN/EIC SMD or Through Hole | RBV2506.pdf | |
![]() | PESD5V0L2UM | PESD5V0L2UM NXP SOT883 | PESD5V0L2UM.pdf | |
![]() | AE161 | AE161 ABB SMD or Through Hole | AE161.pdf | |
![]() | S10C40CT | S10C40CT MOSPEC TO-263 | S10C40CT.pdf | |
![]() | 25640N-10SI-1.8 | 25640N-10SI-1.8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25640N-10SI-1.8.pdf | |
![]() | TEA1402/N2,112 | TEA1402/N2,112 NXP TEA1402 DIP18 TUBE-B | TEA1402/N2,112.pdf |