창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K337R,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K337R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 38V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.7V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 120pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-3 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K337R,LF(B SSM3K337R,LF(T SSM3K337RLFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K337R,LF | |
| 관련 링크 | SSM3K33, SSM3K337R,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 1812AA102KAT1A\SB | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AA102KAT1A\SB.pdf | |
![]() | TMP47C422N-4H76 | TMP47C422N-4H76 TOS DIP | TMP47C422N-4H76.pdf | |
![]() | TN41A,B, | TN41A,B, TOS TO-92 | TN41A,B,.pdf | |
![]() | BCM1250C2KP32 | BCM1250C2KP32 BCM BGA | BCM1250C2KP32.pdf | |
![]() | LTC3400/QX3400 | LTC3400/QX3400 ORIGINAL sot23-6 | LTC3400/QX3400.pdf | |
![]() | MD82288-8 | MD82288-8 INTEA DIP | MD82288-8.pdf | |
![]() | S-1000N43-M5T1G | S-1000N43-M5T1G SII SOT25 | S-1000N43-M5T1G.pdf | |
![]() | DF12E(5.0)-50DP-0. | DF12E(5.0)-50DP-0. ORIGINAL 5+ | DF12E(5.0)-50DP-0..pdf | |
![]() | IS61C1024L-25N | IS61C1024L-25N ISSI SMD or Through Hole | IS61C1024L-25N.pdf | |
![]() | HR2000 | HR2000 MPS SOP-16 | HR2000.pdf | |
![]() | MTV030N | MTV030N MYSON DIP 16 | MTV030N.pdf | |
![]() | MMA02040C4328FB300 | MMA02040C4328FB300 VISHAY DIPSOP | MMA02040C4328FB300.pdf |