창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K333R,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K333R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 436pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-3 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K333R,LF(B SSM3K333R,LF(T SSM3K333RLF SSM3K333RLF(TTR SSM3K333RLF(TTR-ND SSM3K333RLFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K333R,LF | |
| 관련 링크 | SSM3K33, SSM3K333R,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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![]() | 2SC3443-T11-1G | 2SC3443-T11-1G ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC3443-T11-1G.pdf | |
![]() | PE82506TB | PE82506TB ORIGINAL SOJ24 | PE82506TB.pdf | |
![]() | TLE6251-2GM | TLE6251-2GM INFINEON SOP14 | TLE6251-2GM.pdf | |
![]() | DM320003 | DM320003 MICROCHIP SMD or Through Hole | DM320003.pdf | |
![]() | APW7071CE-TUL | APW7071CE-TUL ANPEC SOT23-6 | APW7071CE-TUL.pdf | |
![]() | HYB18T256161BF5 | HYB18T256161BF5 INFINEON BGA | HYB18T256161BF5.pdf | |
![]() | LSA0017-UL7S27FAA | LSA0017-UL7S27FAA LSI QFP | LSA0017-UL7S27FAA.pdf | |
![]() | D65951F1Y00 | D65951F1Y00 ORIGINAL BGA | D65951F1Y00.pdf | |
![]() | Q22FA3650003300 | Q22FA3650003300 EPSON SMD or Through Hole | Q22FA3650003300.pdf |