홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » SSM3K329R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R,LF

SSM3K329R,LF
제조업체 부품 번호
SSM3K329R,LF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
데이터 시트 다운로드
다운로드
SSM3K329R,LF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 133.43616
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SSM3K329R,LF 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. SSM3K329R,LF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SSM3K329R,LF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SSM3K329R,LF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SSM3K329R,LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM3K329R,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SSM3K329R
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.8V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs126m옴 @ 1A, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.5nC(4V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds123pF @ 15V
전력 - 최대1W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지SOT-23F
표준 포장 3,000
다른 이름SSM3K329R,LF(B
SSM3K329R,LF(T
SSM3K329RLF
SSM3K329RLFTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SSM3K329R,LF
관련 링크SSM3K32, SSM3K329R,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
SSM3K329R,LF 의 관련 제품
22µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) CC1206ZKY5V6BB226.pdf
THERMISTOR PTC OCP 600 OHM 25C YPDL0600T.pdf
LTM2882IV-5#TRPBF LT PLGA32 LTM2882IV-5#TRPBF.pdf
RTS5239-GR REALTEK QFP RTS5239-GR.pdf
XCS10XL-5VQG100I XILINX TQFP100 XCS10XL-5VQG100I.pdf
LM5575Q0MHX/NOPB NSC TSSOP LM5575Q0MHX/NOPB.pdf
2SB774 Panasonic TO-92 2SB774.pdf
ZM4763/91V ST/VISHAY LL41 ZM4763/91V.pdf
P8085AH S4416 INTEL SMD or Through Hole P8085AH S4416.pdf
MC4408 MOTORILA SOP MC4408.pdf
LRW5AP-KZMX-1 OSRAM ROHS LRW5AP-KZMX-1.pdf