창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3K303T(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3K303T Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 83m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.3nC(4V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TSM | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM3K303T(TE85LF)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3K303T(TE85L,F) | |
관련 링크 | SSM3K303T(, SSM3K303T(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
SIT8008BC-23-18E-25.000000E | OSC XO 1.8V 25MHZ OE | SIT8008BC-23-18E-25.000000E.pdf | ||
CLF7045NIT-330M-D | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 116.4 mOhm Max Nonstandard | CLF7045NIT-330M-D.pdf | ||
CRCW0402422KFKED | RES SMD 422K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402422KFKED.pdf | ||
A788 | A788 HP SOP16 | A788.pdf | ||
LMNP06DZB6R8M | LMNP06DZB6R8M ORIGINAL SMD | LMNP06DZB6R8M.pdf | ||
EASY721-DC-TC | EASY721-DC-TC MOELLER 24V | EASY721-DC-TC.pdf | ||
H82HS321BF | H82HS321BF PHILIPS DIP-24L | H82HS321BF.pdf | ||
600/128 SL4JV | 600/128 SL4JV INTEL BGA | 600/128 SL4JV.pdf | ||
FLU10ZM | FLU10ZM FUJISTU SMD or Through Hole | FLU10ZM.pdf | ||
25TTS16STRLPBF(80-1325PBF) | 25TTS16STRLPBF(80-1325PBF) IR SOT263 | 25TTS16STRLPBF(80-1325PBF).pdf | ||
AP85T08S | AP85T08S APEC TO-263 | AP85T08S.pdf | ||
IRFR7319 | IRFR7319 IR SMD or Through Hole | IRFR7319.pdf |