창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K17FU,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K17FU | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20옴 @ 10mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7pF @ 3V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | USM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K17FU,LF(B SSM3K17FU,LF(T SSM3K17FULFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K17FU,LF | |
| 관련 링크 | SSM3K17, SSM3K17FU,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | Y0090100R000B9L | RES 100 OHM 1W 0.1% AXIAL | Y0090100R000B9L.pdf | |
![]() | 5343-046 | 5343-046 AMIS CLCC | 5343-046.pdf | |
![]() | 68.000000MHZ | 68.000000MHZ KDS 7050 | 68.000000MHZ.pdf | |
![]() | LTC4261CUFD#PBF | LTC4261CUFD#PBF LT SMD or Through Hole | LTC4261CUFD#PBF.pdf | |
![]() | 0805C103MUAC-TU | 0805C103MUAC-TU ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805C103MUAC-TU.pdf | |
![]() | IL300E/G | IL300E/G SIEMENS DIP8SOP8 | IL300E/G.pdf | |
![]() | BZX84-C33/Y12C33 | BZX84-C33/Y12C33 FAI SOT-23 | BZX84-C33/Y12C33.pdf | |
![]() | S29GL064A90TFIR8 | S29GL064A90TFIR8 SPANSION TSOP | S29GL064A90TFIR8.pdf | |
![]() | MBM29DL163BE90TNE1 | MBM29DL163BE90TNE1 SPANSION SMD or Through Hole | MBM29DL163BE90TNE1.pdf | |
![]() | M29F800DB55M3 | M29F800DB55M3 ORIGINAL SMD or Through Hole | M29F800DB55M3.pdf | |
![]() | YM3604 | YM3604 YAMAHA DIP40 | YM3604.pdf | |
![]() | RJ2411FAOPB+LR36B1 | RJ2411FAOPB+LR36B1 SHARP QFN | RJ2411FAOPB+LR36B1.pdf |