창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K15AFS,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K15AFS | |
| 제품 교육 모듈 | General Purpose Discrete Items | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 10mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13.5pF @ 3V | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K15AFS,LF(B SSM3K15AFS,LF(D SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFSLF SSM3K15AFSLF(D SSM3K15AFSLF(D-ND SSM3K15AFSLFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K15AFS,LF | |
| 관련 링크 | SSM3K15, SSM3K15AFS,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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![]() | B32562H3335K | 3.3µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.650" L x 0.547" W (16.50mm x 13.90mm) | B32562H3335K.pdf | |
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![]() | 627B103G | 627B103G Beckman SOP | 627B103G.pdf | |
![]() | APX825A-23W6G- | APX825A-23W6G- DIODES SOT163 | APX825A-23W6G-.pdf | |
![]() | LH5S460V | LH5S460V EPSON DIP | LH5S460V.pdf | |
![]() | TMP47C241MFE32 | TMP47C241MFE32 TOSHIBA SOP28 | TMP47C241MFE32.pdf | |
![]() | WSR-5 .2 1% EA E2 | WSR-5 .2 1% EA E2 VISHAYDALE Original Package | WSR-5 .2 1% EA E2.pdf | |
![]() | BLF871 | BLF871 NXP SMD or Through Hole | BLF871.pdf | |
![]() | WM3B2915AGNAF866870 | WM3B2915AGNAF866870 INTEL SMD or Through Hole | WM3B2915AGNAF866870.pdf | |
![]() | HY5DV281622DT-D4 | HY5DV281622DT-D4 HYNIX TSOP66 | HY5DV281622DT-D4.pdf |