창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3K15ACT(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3K15ACT | |
제품 교육 모듈 | General Purpose Discrete Items | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 10mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13.5pF @ 3V | |
전력 - 최대 | 100mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | CST3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | SSM3K15ACT(TPL3)TR SSM3K15ACTTPL3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3K15ACT(TPL3) | |
관련 링크 | SSM3K15AC, SSM3K15ACT(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
416F38022AKR | 38MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38022AKR.pdf | ||
AL0410ST-R27J-N | AL0410ST-R27J-N CHILISIN DIP | AL0410ST-R27J-N.pdf | ||
SC68C562CAI | SC68C562CAI PHILIPS PLCC52 | SC68C562CAI.pdf | ||
K1950 | K1950 Renesas TO-252 | K1950.pdf | ||
2CFB470/330MQ20TLF QSOP | 2CFB470/330MQ20TLF QSOP BOURNS SMD or Through Hole | 2CFB470/330MQ20TLF QSOP.pdf | ||
MAX5104CEE | MAX5104CEE MAXIM SSOP-16 | MAX5104CEE.pdf | ||
Z8FMC160100KITG | Z8FMC160100KITG ZiLOG SMD or Through Hole | Z8FMC160100KITG.pdf | ||
RV2-4V221M-R | RV2-4V221M-R ELNA SMD or Through Hole | RV2-4V221M-R.pdf | ||
UPD703033BGC-013-8EU | UPD703033BGC-013-8EU NEC QFP | UPD703033BGC-013-8EU.pdf | ||
N6810 | N6810 NIKO-SEM QFN40 | N6810.pdf | ||
RZ1C337M6L011BB280 | RZ1C337M6L011BB280 SAMWHA SMD or Through Hole | RZ1C337M6L011BB280.pdf | ||
LSC526529CDW | LSC526529CDW MOT SOP28 | LSC526529CDW.pdf |