Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F)

SSM3J307T(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
SSM3J307T(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 5A TSM
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내부 부품 번호EIS-SSM3J307T(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SSM3J307T
Mosfets Prod Guide
제품 교육 모듈Small Signal MOSFET
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs31m옴 @ 4A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1170pF @ 10V
전력 - 최대700mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지TSM
표준 포장 1
다른 이름SSM3J307T(TE85LF)CT
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM3J307T(TE85L,F)
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