창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3J15FV,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3J15FV | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 10mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.7V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9.1pF @ 3V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | VESM | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | SSM3J15FV,L3F(B SSM3J15FV,L3F(T SSM3J15FVL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3J15FV,L3F | |
| 관련 링크 | SSM3J15, SSM3J15FV,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | AQ142M221JAJWE | 220pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ142M221JAJWE.pdf | |
![]() | OPB123A | SWITCH SLOTTED OPTIC PHOTOLOGIC | OPB123A.pdf | |
![]() | T356F226M016AS7303 | T356F226M016AS7303 kemet SMD or Through Hole | T356F226M016AS7303.pdf | |
![]() | 5SJ64507CC20 | 5SJ64507CC20 SIEMENS SMD or Through Hole | 5SJ64507CC20.pdf | |
![]() | 100V474 | 100V474 ORIGINAL DIP | 100V474.pdf | |
![]() | EN25P05-75GCP | EN25P05-75GCP EON SOP8 | EN25P05-75GCP.pdf | |
![]() | INVC789 | INVC789 Hitachi SMD or Through Hole | INVC789.pdf | |
![]() | J259900154028 | J259900154028 N/A SMD or Through Hole | J259900154028.pdf | |
![]() | MTZJ3.0B-T77 | MTZJ3.0B-T77 ROHM DIP | MTZJ3.0B-T77.pdf | |
![]() | 910-914( )15*15c | 910-914( )15*15c TDK SMD or Through Hole | 910-914( )15*15c.pdf | |
![]() | 2SK229 | 2SK229 HITACHI TO-3 | 2SK229.pdf |