창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3J114TU(TE85L) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3J114TU Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 149m옴 @ 600mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(4V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 331pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | UFM | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM3J114TU(TE85L)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3J114TU(TE85L) | |
관련 링크 | SSM3J114TU, SSM3J114TU(TE85L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602AI-32-18E-12.000000Y | OSC XO 1.8V 12MHZ OE | SIT1602AI-32-18E-12.000000Y.pdf | |
![]() | SI7772DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 | SI7772DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | WFH90L50RJE | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 90W | WFH90L50RJE.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF15R8U | RES SMD 15.8 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF15R8U.pdf | |
![]() | MA704-(TX)(M1K) | MA704-(TX)(M1K) PANASONIC SOT-23 | MA704-(TX)(M1K).pdf | |
![]() | IC51-0644-807 | IC51-0644-807 YAMAICHI SMD or Through Hole | IC51-0644-807.pdf | |
![]() | BAV23LT1-CT | BAV23LT1-CT NXP SMD or Through Hole | BAV23LT1-CT.pdf | |
![]() | LT1963EST1.8 | LT1963EST1.8 LT SOT | LT1963EST1.8.pdf | |
![]() | TFM-38 | TFM-38 MINI SMD or Through Hole | TFM-38.pdf | |
![]() | ESME800LGC333MDA0N | ESME800LGC333MDA0N NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ESME800LGC333MDA0N.pdf | |
![]() | RH4B-U-D48V | RH4B-U-D48V ORIGINAL SMD or Through Hole | RH4B-U-D48V.pdf |