창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SS8P2CLHM3/86A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SS8P2CL & SS8P3CL | |
| PCN 기타 | DD-005-2015-Rev-0 26/Jan2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | eSMP® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 4A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 540mV @ 4A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 300µA @ 20V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-277, 3-PowerDFN | |
| 공급 장치 패키지 | TO-277A(SMPC) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SS8P2CLHM3/86A | |
| 관련 링크 | SS8P2CLH, SS8P2CLHM3/86A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RCR875DNP-221K | 220µH Shielded Inductor 500mA 760 mOhm Max Radial | RCR875DNP-221K.pdf | |
![]() | 74AC11008DG4 | 74AC11008DG4 TI SOIC | 74AC11008DG4.pdf | |
![]() | SWEL1005LR33K | SWEL1005LR33K XYT SMD or Through Hole | SWEL1005LR33K.pdf | |
![]() | NNCD3.9D-T1 | NNCD3.9D-T1 NEC SOD-323 | NNCD3.9D-T1.pdf | |
![]() | AS78L12RTR-E1 | AS78L12RTR-E1 BCD SOT-89 | AS78L12RTR-E1.pdf | |
![]() | 16.384MHZ 10PF | 16.384MHZ 10PF PARTRON SMD or Through Hole | 16.384MHZ 10PF.pdf | |
![]() | NHZU18B3TRF-E | NHZU18B3TRF-E RENESAS SMD or Through Hole | NHZU18B3TRF-E.pdf | |
![]() | SN74CBTLV3257DB | SN74CBTLV3257DB TI SSOP 16 | SN74CBTLV3257DB.pdf | |
![]() | RS8970EHF | RS8970EHF ORIGINAL SMD or Through Hole | RS8970EHF.pdf | |
![]() | B41896C8686M004 | B41896C8686M004 EPCOS DIP | B41896C8686M004.pdf | |
![]() | DS1020S-100+T | DS1020S-100+T MAXIM SMD or Through Hole | DS1020S-100+T.pdf | |
![]() | MJ-WW3528FS60-F12 | MJ-WW3528FS60-F12 ORIGINAL SMD or Through Hole | MJ-WW3528FS60-F12.pdf |