창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQS484EN-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQS484EN-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-002-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 16.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1855pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 62W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQS484EN-T1-GE3 SQS484EN-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQS484EN-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQS484EN-, SQS484EN-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MAL211835331E3 | 330µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 1.21 Ohm 4000 Hrs @ 125°C | MAL211835331E3.pdf | |
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![]() | BU18TD2W | BU18TD2W ROHM SMD2 | BU18TD2W.pdf | |
![]() | 213-068-602G | 213-068-602G METH SMD or Through Hole | 213-068-602G.pdf | |
![]() | 0805-10K5 | 0805-10K5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-10K5.pdf | |
![]() | LM5068MM-4-LF | LM5068MM-4-LF NS SMD or Through Hole | LM5068MM-4-LF.pdf | |
![]() | C6328A-35NJ-T25H | C6328A-35NJ-T25H SAGAMI SMD or Through Hole | C6328A-35NJ-T25H.pdf | |
![]() | LMNR3015T150M | LMNR3015T150M TAIYOYUDEN SMD | LMNR3015T150M.pdf | |
![]() | 5-5353184-5 | 5-5353184-5 TE/Tyco/AMP Connector | 5-5353184-5.pdf |