창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM60N06-15_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM60N06-15 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-026-2014-Rev-1 31/Mar/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2480pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM60N06-15-GE3 SQM60N06-15-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM60N06-15_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM60N06-, SQM60N06-15_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | IHSM7832PJ390L | 39µH Unshielded Inductor 2.8A 95 mOhm Max Nonstandard | IHSM7832PJ390L.pdf | |
|  | EL357ND(TA)-VG | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) | EL357ND(TA)-VG.pdf | |
|  | RC1218DK-07294RL | RES SMD 294 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-07294RL.pdf | |
|  | RCP0603W75R0GED | RES SMD 75 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W75R0GED.pdf | |
|  | S1223-5K | S1223-5K HAMAMATSU CAN 2 | S1223-5K.pdf | |
|  | 6650G | 6650G ORIGINAL SMD8 | 6650G.pdf | |
|  | LDC21897M19E-1 | LDC21897M19E-1 MURATA SMD or Through Hole | LDC21897M19E-1.pdf | |
|  | HRT040AN03W3 | HRT040AN03W3 EMC SMD or Through Hole | HRT040AN03W3.pdf | |
|  | LTC3529EDCBTRMPBF | LTC3529EDCBTRMPBF LTC SMD or Through Hole | LTC3529EDCBTRMPBF.pdf |