창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM40N15-38_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM40N15-38 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 166W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM40N15-38-GE3 SQM40N15-38-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM40N15-38_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM40N15-, SQM40N15-38_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D5R1BXXAJ | 5.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R1BXXAJ.pdf | |
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![]() | RG2012N-9530-B-T5 | RES SMD 953 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-9530-B-T5.pdf | |
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![]() | A1251 | A1251 ALLEGRO TO-92S | A1251.pdf | |
![]() | 8200MP | 8200MP FAIRCHIL QFN | 8200MP.pdf | |
![]() | BGA2801,115 | BGA2801,115 NXP SOT363 | BGA2801,115.pdf | |
![]() | RC0603JR-07220RL 0603 220R | RC0603JR-07220RL 0603 220R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603JR-07220RL 0603 220R.pdf | |
![]() | GEY12.84111 | GEY12.84111 GEYER SMD or Through Hole | GEY12.84111.pdf | |
![]() | MCR100JZHF25R5 | MCR100JZHF25R5 ROHM SMD | MCR100JZHF25R5.pdf | |
![]() | SB20W05V | SB20W05V SANYO SMD or Through Hole | SB20W05V.pdf |