창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM40N10-30_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM40N10-30 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-028-2014-Rev-1 17/Mar/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3345pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM40N10-30-GE3 SQM40N10-30-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM40N10-30_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM40N10-, SQM40N10-30_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | HDD15-5-A+G | AC/DC CONVERTER +/-15V 120W | HDD15-5-A+G.pdf | |
|  | PG0087.472NL | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 70 mOhm Max Nonstandard | PG0087.472NL.pdf | |
|  | DDB86U134N16RR | DDB86U134N16RR EUPEC SMD or Through Hole | DDB86U134N16RR.pdf | |
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|  | MMBT1815-GR | MMBT1815-GR UTC QFP-144 | MMBT1815-GR.pdf | |
|  | ST72521B/MMC | ST72521B/MMC STM TQFP64 | ST72521B/MMC.pdf | |
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|  | CL10B102KBMC | CL10B102KBMC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10B102KBMC.pdf | |
|  | ST8006687 | ST8006687 ST SOP8 | ST8006687.pdf | |
|  | FH1117-25 | FH1117-25 FH SOT-223 | FH1117-25.pdf | |
|  | PZU6.2B1,115 | PZU6.2B1,115 NXP SOD323 | PZU6.2B1,115.pdf |