Vishay BC Components SQM40N10-30_GE3

SQM40N10-30_GE3
제조업체 부품 번호
SQM40N10-30_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
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내부 부품 번호EIS-SQM40N10-30_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SQM40N10-30
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-028-2014-Rev-1 17/Mar/2014
PCN 부품 번호New Ordering Code 19/Mar/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs30m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs62nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3345pF @ 25V
전력 - 최대107W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263(D2Pak)
표준 포장 800
다른 이름SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SQM40N10-30_GE3
관련 링크SQM40N10-, SQM40N10-30_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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