창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120P06-07L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM120P06-07L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM120P06-07L_GE3 | |
관련 링크 | SQM120P06-, SQM120P06-07L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | EEU-EB1J100 | 10µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | EEU-EB1J100.pdf | |
![]() | 1140-222K-RC | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 2.4A 494 mOhm Max Radial | 1140-222K-RC.pdf | |
![]() | 2833631 | Marking - Label, Strips, Tags PR1 Series | 2833631.pdf | |
![]() | RG3216N-1211-B-T5 | RES SMD 1.21K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1211-B-T5.pdf | |
![]() | 822B | 822B ORIGINAL SMD or Through Hole | 822B.pdf | |
![]() | SPM-133 | SPM-133 PHI DIP-42 | SPM-133.pdf | |
![]() | ALZ21B09 | ALZ21B09 NAIS SMD or Through Hole | ALZ21B09.pdf | |
![]() | 32MHZ/NX2016AA | 32MHZ/NX2016AA NDK SMD or Through Hole | 32MHZ/NX2016AA.pdf | |
![]() | 74ALS646N | 74ALS646N PHILIPS DIP24 | 74ALS646N.pdf | |
![]() | UC2807N-2 | UC2807N-2 TI DIP8 | UC2807N-2.pdf | |
![]() | SMPC075 | SMPC075 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMPC075.pdf | |
![]() | S-8241AA0MC-GA0-T2 | S-8241AA0MC-GA0-T2 SEIKO SOT-153 | S-8241AA0MC-GA0-T2.pdf |