창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120P06-07L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM120P06-07L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM120P06-07L_GE3 | |
관련 링크 | SQM120P06-, SQM120P06-07L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKP383456200JPM4T0 | 0.56µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP383456200JPM4T0.pdf | |
![]() | 04023J3R3BBWTR | 3.3pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J3R3BBWTR.pdf | |
![]() | RH2E107M16031M | RH2E107M16031M SAMWHA SMD or Through Hole | RH2E107M16031M.pdf | |
![]() | GT3113-03-C | GT3113-03-C GLOBESPAN PLCC | GT3113-03-C.pdf | |
![]() | L37EGW-HEPD | L37EGW-HEPD ORIGINAL SMD or Through Hole | L37EGW-HEPD.pdf | |
![]() | LED24/15504-501 | LED24/15504-501 AMI PLCC44 | LED24/15504-501.pdf | |
![]() | DH2X91-12A | DH2X91-12A IXYS MODULE | DH2X91-12A.pdf | |
![]() | EZPW4 | EZPW4 NO SMD or Through Hole | EZPW4.pdf | |
![]() | BDgO70 | BDgO70 ROHM DIPSOP | BDgO70.pdf | |
![]() | HZK2BTR | HZK2BTR HITACHI SMD or Through Hole | HZK2BTR.pdf |