창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120N04-1M9_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM120N04-1M9-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-030-2014-Rev-1 31/Mar/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8790pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120N04-1M9-GE3 SQM120N04-1M9-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM120N04-1M9_GE3 | |
관련 링크 | SQM120N04-, SQM120N04-1M9_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CR2512-FX-10R0ELF | RES SMD 10 OHM 1% 1W 2512 | CR2512-FX-10R0ELF.pdf | |
![]() | TNPW201051K1BEEY | RES SMD 51.1K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201051K1BEEY.pdf | |
![]() | LX256V5F208-7I | LX256V5F208-7I LATTICE BGA | LX256V5F208-7I.pdf | |
![]() | PT928-5C/F | PT928-5C/F EVERLIOHT DIP-2p | PT928-5C/F.pdf | |
![]() | PSB2132H V1.2 | PSB2132H V1.2 SIE QFP-64 | PSB2132H V1.2.pdf | |
![]() | LTC3701CS | LTC3701CS LTC SSOP | LTC3701CS.pdf | |
![]() | JV-5-KT | JV-5-KT FUJITSU SMD or Through Hole | JV-5-KT.pdf | |
![]() | 4YE-03 | 4YE-03 N/A SIP | 4YE-03.pdf | |
![]() | P0678T | P0678T PULSE SMD | P0678T.pdf | |
![]() | XCC56367PV150 | XCC56367PV150 FREESCALE LQFP144 | XCC56367PV150.pdf | |
![]() | 308N50KZ | 308N50KZ HONEYWELL SMD or Through Hole | 308N50KZ.pdf | |
![]() | EP20K1500EBC652-1 | EP20K1500EBC652-1 ALTETA SMD or Through Hole | EP20K1500EBC652-1.pdf |