Vishay BC Components SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3
제조업체 부품 번호
SQM120N04-1M9_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 120A TO263
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내부 부품 번호EIS-SQM120N04-1M9_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SQM120N04-1M9-GE3
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-030-2014-Rev-1 31/Mar/2014
PCN 부품 번호New Ordering Code 19/Mar/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.9m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs270nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds8790pF @ 25V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263
표준 포장 800
다른 이름SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SQM120N04-1M9_GE3
관련 링크SQM120N04-, SQM120N04-1M9_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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