창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM120N04-1M7_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM120N04-1M7_GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 310nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM120N04-1M7-GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM120N04-1M7_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM120N04-, SQM120N04-1M7_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SM05-02HTG | TVS DIODE 5VWM 13VC SOT23-3 | SM05-02HTG.pdf | |
![]() | L225J50RE | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 225W | L225J50RE.pdf | |
![]() | CMF5515K800FEEK | RES 15.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5515K800FEEK.pdf | |
![]() | TC7W125 | TC7W125 TOSHIBA SOT223 | TC7W125.pdf | |
![]() | SIA513DJ-T1-GE3 | SIA513DJ-T1-GE3 VISHAY PowerPAKSC70-6 | SIA513DJ-T1-GE3.pdf | |
![]() | TSA2100J | TSA2100J TOS SMD or Through Hole | TSA2100J.pdf | |
![]() | ICS441M | ICS441M ICS SOP8 | ICS441M.pdf | |
![]() | CBC2016T470M-K | CBC2016T470M-K KEMET SMD or Through Hole | CBC2016T470M-K.pdf | |
![]() | MB74LS139PF-G-BND | MB74LS139PF-G-BND FUJITSU DIP | MB74LS139PF-G-BND.pdf | |
![]() | PF38F4050M0Y3DE | PF38F4050M0Y3DE NUMONYX BGA | PF38F4050M0Y3DE.pdf | |
![]() | BR93A56RFJ-W | BR93A56RFJ-W ROHM SMD or Through Hole | BR93A56RFJ-W.pdf |