창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120N04-1M7_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM120N04-1M7_GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 310nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120N04-1M7-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM120N04-1M7_GE3 | |
관련 링크 | SQM120N04-, SQM120N04-1M7_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM1555C1H620GZ01D | 62pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H620GZ01D.pdf | |
![]() | TNPW2512909KBEEY | RES SMD 909K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512909KBEEY.pdf | |
![]() | LR0204F130K | RES 130K OHM 1/4W 1% AXIAL | LR0204F130K.pdf | |
![]() | 8460N-4 | 8460N-4 NS DIP | 8460N-4.pdf | |
![]() | 3214JN | 3214JN ORIGINAL NEW | 3214JN.pdf | |
![]() | 22NF | 22NF ORIGINAL SMD or Through Hole | 22NF.pdf | |
![]() | ACCS28ZSM | ACCS28ZSM ASSMANN SMD or Through Hole | ACCS28ZSM.pdf | |
![]() | CDR32BP202AJWS | CDR32BP202AJWS MILSPEC SMD or Through Hole | CDR32BP202AJWS.pdf | |
![]() | 74LS323SC | 74LS323SC NSC Call | 74LS323SC.pdf | |
![]() | GLFR1608T100M-L | GLFR1608T100M-L EPCOS SMD or Through Hole | GLFR1608T100M-L.pdf | |
![]() | EL5293ACY-T7 | EL5293ACY-T7 Intersil MSOP-10 | EL5293ACY-T7.pdf | |
![]() | BCM5204RPF160 | BCM5204RPF160 BROADCOM QFP | BCM5204RPF160.pdf |