창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120N04-1M7L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM120N04-1M7L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-013-2014-Rev-1 17/Mar/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 285nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14606pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3TR SQM120N04-1M7L-GE3TR-ND SQM120N04-1M7L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM120N04-1M7L_GE3 | |
관련 링크 | SQM120N04-, SQM120N04-1M7L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AD5200BRMZ10 | AD5200BRMZ10 AD SMD or Through Hole | AD5200BRMZ10.pdf | |
![]() | NXP3906 | NXP3906 n/a SMD or Through Hole | NXP3906.pdf | |
![]() | MC74AC04DT | MC74AC04DT ON TSSOP | MC74AC04DT.pdf | |
![]() | DK621-0439-4P | DK621-0439-4P RAYCHEM SMD or Through Hole | DK621-0439-4P.pdf | |
![]() | H355BDK-8134P3 | H355BDK-8134P3 TOKO SMD or Through Hole | H355BDK-8134P3.pdf | |
![]() | E4P01 | E4P01 ON SOP8 | E4P01.pdf | |
![]() | STLVDS050BTR | STLVDS050BTR ST TSSOP16 | STLVDS050BTR.pdf | |
![]() | HL1-HP-DC6V | HL1-HP-DC6V NAIS SMD or Through Hole | HL1-HP-DC6V.pdf | |
![]() | NCP1402SN28T1G | NCP1402SN28T1G ON SOT23-5 | NCP1402SN28T1G.pdf | |
![]() | M6889 | M6889 OKI QFP | M6889.pdf | |
![]() | SS6615 | SS6615 ETC SOP8 | SS6615.pdf | |
![]() | PSKD75E/10 | PSKD75E/10 POWERSEM SMD or Through Hole | PSKD75E/10.pdf |