창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQJ951EP-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQJ951EP-T1-GE3 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQJ951EP-T1-GE3 SQJ951EP-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQJ951EP-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQJ951EP-, SQJ951EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DTD143EKT146 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | DTD143EKT146.pdf | |
![]() | CSR1206FTR110 | RES SMD 0.11 OHM 1% 1/2W 1206 | CSR1206FTR110.pdf | |
![]() | CRCW25126R98FNEG | RES SMD 6.98 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25126R98FNEG.pdf | |
![]() | CMF55976R00DHEA | RES 976 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55976R00DHEA.pdf | |
![]() | 5024305030 | 5024305030 Molex SMD or Through Hole | 5024305030.pdf | |
![]() | 2SC4406 | 2SC4406 Sanyo SOT323 | 2SC4406.pdf | |
![]() | MC10E164FN | MC10E164FN ON PLCC-28 | MC10E164FN.pdf | |
![]() | C30619G | C30619G PerkinElmer TO-18 | C30619G.pdf | |
![]() | 480041G | 480041G EEC SMD or Through Hole | 480041G.pdf | |
![]() | DP83848CVVV | DP83848CVVV NS QFP | DP83848CVVV.pdf | |
![]() | 39VF400A-90-4C-EK | 39VF400A-90-4C-EK SST SMD or Through Hole | 39VF400A-90-4C-EK.pdf |