창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ940EP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQJ940EP-T1-GE3 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A, 18A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(20V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 896pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 48W, 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 이중 비대칭 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ940EP-T1-GE3 SQJ940EP-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQJ940EP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ940EP-, SQJ940EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM1555C1H7R1WA01D | 7.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H7R1WA01D.pdf | |
![]() | VJ1812Y564JBAAT4X | 0.56µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y564JBAAT4X.pdf | |
![]() | INV-TH-203(2) | INV-TH-203(2) INV DIP4 | INV-TH-203(2).pdf | |
![]() | 22342 419 | 22342 419 SANWA SSOP | 22342 419.pdf | |
![]() | SD2002DLPI | SD2002DLPI SD SIP-8 | SD2002DLPI.pdf | |
![]() | 53916-0504 | 53916-0504 molex SMD or Through Hole | 53916-0504.pdf | |
![]() | CH05T1604(TDA9370PS/N2/AI0848) | CH05T1604(TDA9370PS/N2/AI0848) PHILIPS DIP-64 | CH05T1604(TDA9370PS/N2/AI0848).pdf | |
![]() | MURB1050CT | MURB1050CT TSC TO263 | MURB1050CT.pdf | |
![]() | HD6413002FI16V | HD6413002FI16V ORIGINAL SMD or Through Hole | HD6413002FI16V.pdf | |
![]() | K9F1G08R0B-JIB00 | K9F1G08R0B-JIB00 SAMSUNG BGA | K9F1G08R0B-JIB00.pdf |