창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ912AEP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQJ912AEP | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 9.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1835pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ912AEP-T1-GE3 SQJ912AEP-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQJ912AEP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ912AEP, SQJ912AEP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | RG2012V-9090-B-T5 | RES SMD 909 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-9090-B-T5.pdf | |
![]() | RLZ12B---T11 | RLZ12B---T11 ROHM SMD or Through Hole | RLZ12B---T11.pdf | |
![]() | BAS82L | BAS82L NXP LL34 | BAS82L.pdf | |
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![]() | HDSP-316G | HDSP-316G AVAGO DIP | HDSP-316G.pdf | |
![]() | FCM-002 | FCM-002 LGIS QFP | FCM-002.pdf | |
![]() | CBB20 100V225 | CBB20 100V225 ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB20 100V225.pdf | |
![]() | L4915 | L4915 STM ZIP | L4915.pdf | |
![]() | HCI1005F-1N0S | HCI1005F-1N0S TAI-TECH SMD | HCI1005F-1N0S.pdf |