창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQJ202EP-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQJ202EP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A, 60A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 975pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 27W, 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 이중 비대칭 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQJ202EP-T1_GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQJ202EP-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQJ202EP-, SQJ202EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| AA-9.84375MAHE-T | 9.8435MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-9.84375MAHE-T.pdf | ||
![]() | PM74SH-680M-RC | 68µH Shielded Wirewound Inductor 770mA 210 mOhm Max Nonstandard | PM74SH-680M-RC.pdf | |
![]() | CRCW1210118KFKEA | RES SMD 118K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW1210118KFKEA.pdf | |
![]() | RAVF164DJT36R0 | RES ARRAY 4 RES 36 OHM 1206 | RAVF164DJT36R0.pdf | |
![]() | AK4314VF-E2 | AK4314VF-E2 AKM SOP24 | AK4314VF-E2.pdf | |
![]() | 1N5820T/B | 1N5820T/B HY DO-41 | 1N5820T/B.pdf | |
![]() | 1655I | 1655I LINEAR SMD or Through Hole | 1655I.pdf | |
![]() | ENE3110D/155.52MHZ | ENE3110D/155.52MHZ NDK SMD or Through Hole | ENE3110D/155.52MHZ.pdf | |
![]() | MV9870 | MV9870 D QFP | MV9870.pdf | |
![]() | UPD6600-753 | UPD6600-753 NEC SOP20 | UPD6600-753.pdf |