창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD97N06-6M3L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD97N06-6M3L_GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6060pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD97N06-6M3L-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD97N06-6M3L_GE3 | |
관련 링크 | SQD97N06-6, SQD97N06-6M3L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SR211C104KAR | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211C104KAR.pdf | |
![]() | MKT1813468254G | 0.68µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Axial 0.335" Dia x 1.043" L (8.50mm x 26.50mm) | MKT1813468254G.pdf | |
![]() | OPI110A | Optoisolator Transistor Output 10000VDC 1 Channel Axial | OPI110A.pdf | |
![]() | SR0805FR-078R2L | RES SMD 8.2 OHM 1% 1/8W 0805 | SR0805FR-078R2L.pdf | |
![]() | MMB02070C3908FB700 | RES SMD 3.9 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C3908FB700.pdf | |
![]() | RT1210CRD07383KL | RES SMD 383K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07383KL.pdf | |
![]() | K522H1GACE-B050 | K522H1GACE-B050 Samsung BGA | K522H1GACE-B050.pdf | |
![]() | T10405 | T10405 DENSO DIP | T10405.pdf | |
![]() | EKZH160E471MHB5D | EKZH160E471MHB5D NIPPON DIP | EKZH160E471MHB5D.pdf | |
![]() | MG8086040 | MG8086040 INTEL DIP | MG8086040.pdf | |
![]() | PS7122AL-1C-A | PS7122AL-1C-A NEC SOP8 | PS7122AL-1C-A.pdf |