창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD97N06-6M3L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD97N06-6M3L_GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6060pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD97N06-6M3L-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD97N06-6M3L_GE3 | |
관련 링크 | SQD97N06-6, SQD97N06-6M3L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ24CAE3/TR13 | TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMBJ | SMBJ24CAE3/TR13.pdf | |
![]() | 9B-22.1184MAAJ-B | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-22.1184MAAJ-B.pdf | |
![]() | SIT8924AEL23-33N-50.000000E | OSC XO 3.3V 50MHZ NC | SIT8924AEL23-33N-50.000000E.pdf | |
![]() | AV9154-A-31 | AV9154-A-31 ICS SOP-16 | AV9154-A-31.pdf | |
![]() | PSMA22A | PSMA22A NXP SOD-106 | PSMA22A.pdf | |
![]() | 71991CA | 71991CA ORIGINAL SOP8 | 71991CA.pdf | |
![]() | CLY2GEG | CLY2GEG SIEMENS SMD or Through Hole | CLY2GEG.pdf | |
![]() | K3917 | K3917 FUJI TO-220F | K3917.pdf | |
![]() | M24C04-MN6TP | M24C04-MN6TP ST SOP8 | M24C04-MN6TP.pdf | |
![]() | EP1SGX10DF672 | EP1SGX10DF672 ALTERA BGA | EP1SGX10DF672.pdf | |
![]() | GRM15XB11E222KA86D | GRM15XB11E222KA86D MURATA SMD | GRM15XB11E222KA86D.pdf | |
![]() | BSC052N03SG,N MOS | BSC052N03SG,N MOS infineon SON-8 | BSC052N03SG,N MOS.pdf |