창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD45P03-12_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD45P03-12 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3495pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD45P03-12-GE3 SQD45P03-12-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD45P03-12_GE3 | |
관련 링크 | SQD45P03-, SQD45P03-12_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RSS3W270RJTB | RES 270 OHM 3W 5% AXIAL | RSS3W270RJTB.pdf | |
![]() | GM71C4260AT-80 | GM71C4260AT-80 HYUNDAI TSOP | GM71C4260AT-80.pdf | |
![]() | 74040-0556 | 74040-0556 MOLEX ORIGINAL | 74040-0556.pdf | |
![]() | MA8360-(TX) | MA8360-(TX) xx SMD0603 | MA8360-(TX).pdf | |
![]() | LTC3200ES6#TRPBF | LTC3200ES6#TRPBF LT SOT23-6 | LTC3200ES6#TRPBF.pdf | |
![]() | YLC-W115N5B7-FE | YLC-W115N5B7-FE YALEI SMD or Through Hole | YLC-W115N5B7-FE.pdf | |
![]() | BW002 | BW002 BW SMD or Through Hole | BW002.pdf | |
![]() | TAM3960 | TAM3960 ORIGINAL SMD or Through Hole | TAM3960.pdf | |
![]() | GL339P | GL339P GL DIP14 | GL339P.pdf | |
![]() | PMC5361-RI | PMC5361-RI PMC SMD or Through Hole | PMC5361-RI.pdf |