창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD45N05-20L-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
기타 관련 문서 | SQD45N05-20L Part Marking | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD45N05-20L-GE3 | |
관련 링크 | SQD45N05-, SQD45N05-20L-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
50MH71MEFC4X7 | 1µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 50MH71MEFC4X7.pdf | ||
C0805C209C2GACTU | 2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C209C2GACTU.pdf | ||
RC1210FR-0751KL | RES SMD 51K OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-0751KL.pdf | ||
CS529J | CS529J N/A DIP-8 | CS529J.pdf | ||
T3A6CP | T3A6CP KEC TO-220 | T3A6CP.pdf | ||
HC365G4 | HC365G4 TI TSSOP16 | HC365G4.pdf | ||
DAC8284F | DAC8284F AD SOP-24 | DAC8284F.pdf | ||
8839CSNG4N41(CH08T0602) | 8839CSNG4N41(CH08T0602) ORIGINAL SMD or Through Hole | 8839CSNG4N41(CH08T0602).pdf | ||
LDECD3820KA0N00 | LDECD3820KA0N00 ARCOTRONI SMD | LDECD3820KA0N00.pdf | ||
P82C212B12 | P82C212B12 N/A SMD or Through Hole | P82C212B12.pdf | ||
H11AG13SD | H11AG13SD FSC/INF/VIS SMD DIP | H11AG13SD.pdf | ||
GAL16V8D-5LP | GAL16V8D-5LP LATTICE DIP | GAL16V8D-5LP.pdf |