창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQD40N06-25L-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQD40N06-25L-GE3 | |
| 관련 링크 | SQD40N06-, SQD40N06-25L-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GL098F33CDT | 9.8304MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL098F33CDT.pdf | |
![]() | SI4114DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC | SI4114DY-T1-E3.pdf | |
![]() | RT0402FRD0753R6L | RES SMD 53.6 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD0753R6L.pdf | |
![]() | CRCW08054K22FKTA | RES SMD 4.22K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08054K22FKTA.pdf | |
![]() | M40192 | M40192 OKI DiP | M40192.pdf | |
![]() | C3+ | C3+ ORIGINAL DFN-8 | C3+.pdf | |
![]() | G4Y4E | G4Y4E ORIGINAL SMD or Through Hole | G4Y4E.pdf | |
![]() | SI4431DY SOP-8 | SI4431DY SOP-8 VISHAY SMD or Through Hole | SI4431DY SOP-8.pdf | |
![]() | 2N3013R | 2N3013R MOT CAN3 | 2N3013R.pdf | |
![]() | DE56BR569OJ3ALC | DE56BR569OJ3ALC DSP QFP | DE56BR569OJ3ALC.pdf | |
![]() | ATC1084-3.3 | ATC1084-3.3 ATC TO-220 | ATC1084-3.3.pdf | |
![]() | RT6961 | RT6961 PIC SOP | RT6961.pdf |