창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD40N06-25L-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD40N06-25L-GE3 | |
관련 링크 | SQD40N06-, SQD40N06-25L-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GRM033R61E682KA12D | 6800pF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R61E682KA12D.pdf | ||
TQ2SS-L2-24V-Z | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | TQ2SS-L2-24V-Z.pdf | ||
AT88SC12816C-PU | AT88SC12816C-PU ATMEL 8-Dip | AT88SC12816C-PU.pdf | ||
JV2N6788 | JV2N6788 HARRIS CAN3 | JV2N6788.pdf | ||
TPRH1207-3R9P | TPRH1207-3R9P SUMIDA SMD or Through Hole | TPRH1207-3R9P.pdf | ||
LD80C51FA | LD80C51FA INTEL CDIP | LD80C51FA.pdf | ||
SE570F | SE570F PHILIPS CDIP | SE570F.pdf | ||
BV054-5090.0 | BV054-5090.0 Pulse 48 VAC 333mA | BV054-5090.0.pdf | ||
G27N120BN-04 | G27N120BN-04 ORIGINAL TO-3P | G27N120BN-04.pdf | ||
GRM36COG040C 50-641 | GRM36COG040C 50-641 MURATA SMD or Through Hole | GRM36COG040C 50-641.pdf | ||
UPD720900KF5667-JF | UPD720900KF5667-JF NEC BGA | UPD720900KF5667-JF.pdf | ||
SBR104P01A | SBR104P01A MAP SMD or Through Hole | SBR104P01A.pdf |