창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQD23N06-31L_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQD23N06-31L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-036-2014-Rev-1 27/Jun/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 845pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 37W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQD23N06-31L_GE3 | |
| 관련 링크 | SQD23N06-, SQD23N06-31L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | L25J25KE | RES CHAS MNT 25K OHM 5% 25W | L25J25KE.pdf | |
![]() | RC1218DK-07249RL | RES SMD 249 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-07249RL.pdf | |
![]() | 127N | 127N ORIGINAL QFN8 | 127N.pdf | |
![]() | PC92501GCA | PC92501GCA ORIGINAL BGA | PC92501GCA.pdf | |
![]() | 1X2298 | 1X2298 SHARP SMD or Through Hole | 1X2298.pdf | |
![]() | UA7300PC | UA7300PC FSC DIP16 | UA7300PC.pdf | |
![]() | 83C154SB22T | 83C154SB22T OKI QFP44L | 83C154SB22T.pdf | |
![]() | 215-0719030-00 | 215-0719030-00 ATI BGA | 215-0719030-00.pdf | |
![]() | AV076T8 | AV076T8 AVTECH BGA | AV076T8.pdf | |
![]() | L2A1172 | L2A1172 LSI QFP | L2A1172.pdf | |
![]() | RD5.6SB2 | RD5.6SB2 NEC SOD-3230805 | RD5.6SB2.pdf | |
![]() | LMC6762AIN | LMC6762AIN NSC DIP-8 | LMC6762AIN.pdf |