창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQCSVA1R5BAT1A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQCS, SQCF Series | |
| 제품 교육 모듈 | Component Solutions for Smart Meter Applications | |
| 주요제품 | Microwave Multi-Layer Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2127 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | SQ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1.5pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | A | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.030"(0.76mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 478-3489-2 SQCSVA1R5BAT1A/4K | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQCSVA1R5BAT1A | |
| 관련 링크 | SQCSVA1R, SQCSVA1R5BAT1A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MHQ1005P4N3BT000 | 4.3nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MHQ1005P4N3BT000.pdf | |
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![]() | VC30R.2J221K-TP | VC30R.2J221K-TP MARUWA 1206 | VC30R.2J221K-TP.pdf | |
![]() | SII9025CTU-S2 | SII9025CTU-S2 ORIGINAL QFP | SII9025CTU-S2.pdf | |
![]() | 10080054-007LF | 10080054-007LF PCI/WSI SMD or Through Hole | 10080054-007LF.pdf | |
![]() | RCRSC0008AF227 | RCRSC0008AF227 CRYSTAL SMD | RCRSC0008AF227.pdf | |
![]() | HBAS16LT1G | HBAS16LT1G Intel TO-247AD | HBAS16LT1G.pdf | |
![]() | VUO82/12 | VUO82/12 IXYS SMD or Through Hole | VUO82/12.pdf | |
![]() | LT3210EUD-3 | LT3210EUD-3 LCHY DFN | LT3210EUD-3.pdf | |
![]() | HZM6.2NB1TR-E | HZM6.2NB1TR-E RENESAS SOT-23 | HZM6.2NB1TR-E.pdf | |
![]() | SA25FL001 | SA25FL001 SAIFUN SMD or Through Hole | SA25FL001.pdf | |
![]() | SM5420-030-A | SM5420-030-A SILICONMICROSTRUCTUREPRODUC ORIGINAL | SM5420-030-A.pdf |