창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ4940AEY-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ4940AEY | |
PCN 조립/원산지 | SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 5.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 741pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ4940AEY-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ4940AEY, SQ4940AEY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F260X2IAR | 26MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X2IAR.pdf | |
![]() | CRCW25126R19FKEGHP | RES SMD 6.19 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW25126R19FKEGHP.pdf | |
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![]() | 55018221200- | 55018221200- SUMIDA SMD | 55018221200-.pdf | |
![]() | Z6472-3A | Z6472-3A TOSHIBA SMD or Through Hole | Z6472-3A.pdf | |
![]() | MAX7219CBG | MAX7219CBG MAXIM DIP | MAX7219CBG.pdf | |
![]() | RI2512L563JT | RI2512L563JT ORIGINAL SMD or Through Hole | RI2512L563JT.pdf | |
![]() | W6025/S | W6025/S ORIGINAL SMD or Through Hole | W6025/S.pdf | |
![]() | OBH2548T37.056MHZ | OBH2548T37.056MHZ CALIBER ORIGINAL | OBH2548T37.056MHZ.pdf | |
![]() | EPM3032ATC44-10/N | EPM3032ATC44-10/N ALTERA TQFP | EPM3032ATC44-10/N.pdf | |
![]() | MM1025Z | MM1025Z MITSUMI SOP | MM1025Z.pdf |