창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ4940AEY-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ4940AEY | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 5.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 741pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ4940AEY-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ4940AEY, SQ4940AEY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602AI-73-25E-30.000000E | OSC XO 2.5V 30MHZ OE | SIT1602AI-73-25E-30.000000E.pdf | |
![]() | MB3763H | MB3763H FUJITSU ZIP | MB3763H.pdf | |
![]() | 96481 | 96481 HARRIS SMD or Through Hole | 96481.pdf | |
![]() | TR5012 | TR5012 MP DIP24 | TR5012.pdf | |
![]() | SE2D | SE2D EIC SMBJ | SE2D.pdf | |
![]() | GRM188R61E1 | GRM188R61E1 MURATA SMD or Through Hole | GRM188R61E1.pdf | |
![]() | BEAD_1Kohm20121500mA | BEAD_1Kohm20121500mA ORIGINAL SMD or Through Hole | BEAD_1Kohm20121500mA.pdf | |
![]() | MCP79MXT-B1 | MCP79MXT-B1 NVIDIA FCBGA | MCP79MXT-B1.pdf | |
![]() | 10UF25VX5R+-20% | 10UF25VX5R+-20% HEC SMD or Through Hole | 10UF25VX5R+-20%.pdf | |
![]() | LT1175CT-5.0 | LT1175CT-5.0 LT SMD or Through Hole | LT1175CT-5.0.pdf | |
![]() | TNY255P | TNY255P TNY DIP | TNY255P .pdf | |
![]() | ECWF4124ML | ECWF4124ML ORIGINAL DIP | ECWF4124ML.pdf |