Vishay BC Components SQ4850EY-T1_GE3

SQ4850EY-T1_GE3
제조업체 부품 번호
SQ4850EY-T1_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
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내부 부품 번호EIS-SQ4850EY-T1_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SQ4850EY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014
PCN 부품 번호New Ordering Code 19/Mar/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs22m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1250pF @ 25V
전력 - 최대6.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SQ4850EY-T1-GE3
SQ4850EY-T1-GE3-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SQ4850EY-T1_GE3
관련 링크SQ4850EY-, SQ4850EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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52MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F5201XATT.pdf
RES CHAS MNT 300 OHM 1% 50W HS50 300R F.pdf
RES SMD 250 OHM 0.01% 1/4W 1206 CRT1206-PW-2500ELF.pdf
BAT54/DG NXP SMD or Through Hole BAT54/DG.pdf
IS473 SHARP SIDE-DIP4 IS473.pdf
L4949ED013TR ST SOP8 L4949ED013TR .pdf
1-487951-7 AMP/TYCO SMD or Through Hole 1-487951-7.pdf
GT1646MR GT SOT25 GT1646MR.pdf
ICSLV810FI ICS SSOP-20 ICSLV810FI.pdf
VGC7219-0314 VLSI PQFP-100 VGC7219-0314.pdf
ZXDH150S4826N ZTE SMD or Through Hole ZXDH150S4826N.pdf