창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ4431EY-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ4431EY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1265pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SQ4431EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ4431EY-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ4431EY-, SQ4431EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1N4780 | DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35 | 1N4780.pdf | |
![]() | 2512R-472G | 4.7µH Unshielded Inductor 636mA 1 Ohm Max 2-SMD | 2512R-472G.pdf | |
![]() | RCL10659, | RCL10659, ORIGINAL SMD-14 | RCL10659,.pdf | |
![]() | 3232CBNZ- | 3232CBNZ- INTERSIL SOP | 3232CBNZ-.pdf | |
![]() | LC4032V-75TN48C((LEADFREE) | LC4032V-75TN48C((LEADFREE) LATTICE TQFP | LC4032V-75TN48C((LEADFREE).pdf | |
![]() | TL8b-300E | TL8b-300E ORIGINAL SMD or Through Hole | TL8b-300E.pdf | |
![]() | 2219R-16 | 2219R-16 Neltron SMD or Through Hole | 2219R-16.pdf | |
![]() | LKSA2472MESA | LKSA2472MESA NICHICON DIP | LKSA2472MESA.pdf | |
![]() | TDA8511Q | TDA8511Q NXP DIP | TDA8511Q.pdf | |
![]() | AD7521SQ/883B | AD7521SQ/883B AD DIP-18 | AD7521SQ/883B.pdf | |
![]() | 2SC5342UF | 2SC5342UF AUK SOT-323F | 2SC5342UF.pdf | |
![]() | 1-16340 | 1-16340 AMP/WSI SMD or Through Hole | 1-16340.pdf |