창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ4410EY-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ4410EY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2385pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SQ4410EY-T1-GE3 SQ4410EY-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ4410EY-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ4410EY-, SQ4410EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | K103K15X7RF5TH5 | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K103K15X7RF5TH5.pdf | |
![]() | GRT32DR60J336ME01L | 33µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRT32DR60J336ME01L.pdf | |
![]() | P6KE15CA-E3/54 | TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO204AC | P6KE15CA-E3/54.pdf | |
![]() | SBG3030CT-T | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V D2PAK | SBG3030CT-T.pdf | |
![]() | CRCW06033K24FKEAHP | RES SMD 3.24K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW06033K24FKEAHP.pdf | |
![]() | 34FLZ-RSM2-R-TB | 34FLZ-RSM2-R-TB JST SMD | 34FLZ-RSM2-R-TB.pdf | |
![]() | SDT-1205P-4R7 | SDT-1205P-4R7 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDT-1205P-4R7.pdf | |
![]() | BSZ52 | BSZ52 ORIGINAL SMD or Through Hole | BSZ52.pdf | |
![]() | MTDF1C02HD | MTDF1C02HD ONS SOP | MTDF1C02HD.pdf | |
![]() | XS156N | XS156N IC SOP36 | XS156N.pdf | |
![]() | SMAJ4757A | SMAJ4757A MCC SMA | SMAJ4757A.pdf |