창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ3469EV-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ3469EV-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 6.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1020pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQ3469EV-T1-GE3 SQ3469EV-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ3469EV-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ3469EV-, SQ3469EV-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808A820KBAAT4X | 82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A820KBAAT4X.pdf | |
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![]() | 50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN) | 50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | E28F200CF-T60 | E28F200CF-T60 SSOP INTEL | E28F200CF-T60.pdf | |
![]() | AIC610FL | AIC610FL ORIGINAL SMD or Through Hole | AIC610FL.pdf | |
![]() | HYD0SEE0M-F2P-5S60E-C | HYD0SEE0M-F2P-5S60E-C HYNIX BGA | HYD0SEE0M-F2P-5S60E-C.pdf | |
![]() | PTA0162 | PTA0162 TI SMD-24 | PTA0162.pdf | |
![]() | HN24065SG | HN24065SG N/A SOP24 | HN24065SG.pdf |