창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ3442EV-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ3442EV | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | SQ Automotive Qualified MOSFETs | |
| PCN 단종/ EOL | PCN- SIL-0472014 Rev1 20/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SQ3442EV-T1-GE3CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ3442EV-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SQ3442EV-, SQ3442EV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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| RSMF3JT750R | RES METAL OX 3W 750 OHM 5% AXL | RSMF3JT750R.pdf | ||
![]() | CMF603K2000BER6 | RES 3.2K OHM 1W .1% AXIAL | CMF603K2000BER6.pdf | |
![]() | TSM-105-04-L-DV-M-TR | TSM-105-04-L-DV-M-TR SAMTEC SMD or Through Hole | TSM-105-04-L-DV-M-TR.pdf | |
![]() | BJ:AGS | BJ:AGS INFINEON AGS 323 | BJ:AGS.pdf | |
![]() | ISL9005IRCZ-T | ISL9005IRCZ-T INTERSIL DFN-8 | ISL9005IRCZ-T.pdf | |
![]() | CIC9143E | CIC9143E CIC SMD or Through Hole | CIC9143E.pdf | |
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![]() | HEF4894BT112 | HEF4894BT112 NXP SO20 | HEF4894BT112.pdf |