창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ2348ES-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ2348ES-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-002-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQ2348ES-T1-GE3 SQ2348ES-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ2348ES-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ2348ES-, SQ2348ES-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ0603D360JXPAC | 36pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D360JXPAC.pdf | ||
GRM1555C1E1R8CZ01D | 1.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E1R8CZ01D.pdf | ||
BFC238562222 | 2200pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC238562222.pdf | ||
M550B108M060AS | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 60V M55 Module 25 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M550B108M060AS.pdf | ||
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1-84952-4 | 1-84952-4 AMP SMD or Through Hole | 1-84952-4.pdf | ||
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1N3008BR | 1N3008BR MOTOROLA DO-4 | 1N3008BR.pdf |